用于鉴别半导体晶片在热处理期间的错误位置的方法专利登记公告

专利名称：用于鉴别半导体晶片在热处理期间的错误位置的方法

摘要：本发明涉及在利用红外发射器加热的对于红外辐射可透射的加工室内进行热处理期间鉴别半导体晶片的错误位置的方法，其中半导体晶片位于旋转的基座的圆形凹槽内，并借助红外发射器及控制系统将半导体晶片保持在预定的温度，利用高温计测定热辐射，求得测量信号的波动振幅，若该振幅超过预定的最大值，则认为半导体晶片的位置错误。在此，高温计的取向使得由高温计检测的测量斑部分地位于半导体晶片上并且部分地位于半导体晶片以外的基座上。以此方式可以鉴别半导体晶片在基座的凹槽内的偏心位置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010125922.7

专利申请（专利权）人：硅电子股份公司

专利发明（设计）人：G·布伦宁格;K·格林德尔

主权项：在利用红外发射器加热且对于红外辐射可透射的加工室内进行热处理期间鉴别半导体晶片(1)的错误位置的方法，其中半导体晶片(1)位于旋转的基座(2)的圆形凹槽(3)内，并借助红外发射器及控制系统将半导体晶片保持在预定的温度，利用高温计(7)测定热辐射，求得测量信号的波动振幅，若该振幅超过预定的最大值，则认为半导体晶片(1)的位置错误，其特征在于，高温计(7)的取向使得由高温计(7)检测的测量斑(6)部分地位于半导体晶片(1)上并且部分地位于半导体晶片(1)以外的基座(2)上，而该错误位置是基座(2)的凹槽(3)

专利地区：德国