记忆体元件及其制造方法专利登记公告

专利名称：记忆体元件及其制造方法

摘要：本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件，包括基底、导体层、电荷储存层、多个第一、第二掺杂区及多个第一、第二记忆胞掺杂区。基底中具有多个沟渠。导体层配置于基底上且填满沟渠。电荷储存层配置于基底与导体层之间。第一、第二掺杂区分别配置于沟渠底部下方的基底中以及相邻两个沟渠之间的基底上部中，且具有第一导电型。第一、第二记忆胞掺杂区分别配置于沟渠的侧表面的下部之间的基底中及邻近于第二掺杂区底部的基底中，且具有第二导电型。其中，第一导电型与第二导电型为不同的掺杂型态。本发明还提供了一种上述记忆体元件的制造方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010126770.2

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：黄育峰;蔡易伸;林上伟;徐妙枝;陈冠复

主权项：一种记忆体元件，其特征在于其包括：一基底，该基底中具有多个沟渠；一导体层，配置于该基底上且填满该些沟渠；一电荷储存层，配置于该基底与该导体层之间；多个第一掺杂区，分别配置于该些沟渠底部下方的该基底中，且具有一第一导电型；多个第二掺杂区，分别配置于相邻两个沟渠之间的该基底中，且具有该第一导电型；以及多个记忆胞掺杂区，分别配置于该些沟渠的侧表面之间的该基底中，且具有一第二导电型，其中该第一导电型与该第二导电型为不同的掺杂型态。

专利地区：台湾