位元线结构、半导体元件及其形成方法专利登记公告

专利名称：位元线结构、半导体元件及其形成方法

摘要：本发明是有关于一种位元线结构、半导体元件及其形成方法。该半导体元件，包括基底、多个堆叠栅极结构、多个掺杂区、多个衬层、多个导体层、多个介电层及多条字元线。基底具有多个沟渠。堆叠栅极结构配置在沟渠之间的基底上。掺杂区配置于沟渠的侧壁及底部的基底中。衬层配置在堆叠栅极结构的至少部分侧壁及沟渠的侧壁上。导体层配置在沟渠中，且电性连接掺杂区。介电层配置于导体层上及堆叠栅极结构之间。字元线配置于基底上，且电性连接堆叠栅极结构。同时本发明还提供了一种半导体元件的形成方法及位元线结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010117363.5

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：李冠德;刘建宏;黄守伟;陈盈佐

主权项：一种半导体元件，其特征在于其包括：一基底，该基底具有多个沟渠；多个堆叠栅极结构，配置在该些沟渠之间的该基底上；多个掺杂区，配置于该些沟渠的侧壁或底部的该基底中；多个衬层，配置在该些堆叠栅极结构的至少部分侧壁及该些沟渠的侧壁上；多个导体层，配置在该些沟渠中，且电性连接该些掺杂区；多个介电层，配置于该些导体层上及该些堆叠栅极结构之间；以及多条字元线，配置于该基底上，且电性连接该些堆叠栅极结构。

专利地区：台湾