具有改良串行选择线和位线接触布局的三维存储阵列专利登记公告

专利名称：具有改良串行选择线和位线接触布局的三维存储阵列

摘要：本发明公开了具有改良串行选择线和位线接触布局的三维存储装置，包含多个长条半导体材料所形成的山脊状叠层且由绝缘层分隔，安排成位线而通过译码电路与感测放大器耦接。长条半导体材料具有侧表面于山脊状叠层的侧面。多条导线安排成字线且与列译码器耦接，正交延伸于于该多个山脊状叠层之上，且与该多个叠层顺形。存储元件位于多层阵列的交会区域，其介于该长条半导体材料侧表面与该多条导线之间。这些存储元件是可编程的，类似反熔丝或是电荷捕捉结构。在某些实施例中，具有阶梯状结构于长条半导体材料的终端。在某些实施例中，包含串行选择线内联机于与长条半导体材料平行的金属层中，且更包含串行选择线内联机于与字线平行的更高金属层中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110031235.3

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：吕函庭;洪俊雄

主权项：一种存储装置，包含：一集成电路衬底；多个长条半导体材料叠层延伸出该集成电路衬底，该多个叠层包括至少两个长条半导体材料由绝缘层分隔而成为多个平面位置中的不同平面位置，分享该多个平面位置中的一相同平面位置的该些长条半导体材料通过阶梯状结构连接至多个位线接触中的一个相同位线接触，如此该阶梯状结构中的阶梯位于该些长条半导体材料的端点处；多条导线安排成正交于该多个叠层之上，且与该多个叠层顺形，如此于该长条半导体材料的表面与该多条导线交会点建立一个三维阵列的交会区域；以及存储元件于该交会区域，其经由该长条半导体材料与该多条导线建立可存取的该三维阵列的存储单元。

专利地区：台湾