半导体元件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体元件及其制造方法

摘要：提供一相变存储器及其制造方法。此相变存储器包含一层相变材料，此相变材料经过增加疏水性的处理。此相变材料的疏水性改善了相变材料与位于相变材料上的一掩膜层之间的附着力。此相变材料可以例如用一包含氮、氨、氩、氦、氧、氢或相似气体的等离子体来处理。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010129165.0

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：叶通迪;陈志明;喻中一;蔡正原;陈能国;蔡嘉雄

主权项：一种半导体元件，该半导体元件包含：一相变层，电性耦接至一上电极以及一下电极，该相变层包含一相变材料，其中该相变层的一表面包含一已处理部分；以及一掩膜层，位于该相变层上方，该掩膜层与该相变层邻接的一界面处的硅原子浓度大于该界面外的一区域的硅原子浓度，该相变层的该已处理部分与该掩膜层之间的附着力大于未处理的相变材料。

专利地区：中国