一种高密度相变存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：一种高密度相变存储器的制备方法

摘要：一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周期的上电极层上用薄膜淀积工艺淀积电热绝缘材料层，然后将表面平坦化；采用光刻方法和干法刻蚀的工艺在电热绝缘材料层的上面制备插塞小孔，该插塞小孔的宽度大于每一层金属材料上的凹槽的宽度；在插塞小孔的孔壁上的表面淀积一层相变材料，得到管状结构；采用化学气相淀积工艺，在相变材料上再淀积一层金属材料层

专利类型：发明专利

专利号：CN201010139053.3

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：程凯芳;王晓峰;王晓东;张加勇;马慧莉;杨富华

主权项：一种高密度相变存储器的制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤2：在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽，使凹槽两侧形成金属条；步骤3：在多周期的上电极层上用薄膜淀积工艺淀积电热绝缘材料层，然后将表面平坦化；步骤4：采用光刻方法和干法刻蚀的工艺在电热绝缘材料层的上面制备插塞小孔，该插塞小孔的宽度大于每一层金属材料上的凹槽的宽度；步骤5：采用化学气相淀积工

专利地区：北京