一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法

摘要：本发明公开的Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化锌、纯氟化锌和纯碳酸锂粉末球磨混合后压制成型，烧结后得到掺ZnF2和Li2O的ZnO陶瓷靶，其中氟化锌的摩尔含量为0.3％，氧化锂的摩尔含量为0.6～0.9％；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以纯O2为生长气氛，控制O2压强5～20Pa，激光频率为3～5Hz，生长温度为300～500℃，在衬底上生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂，掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中Li和F的摩尔含量来控制。采用本发

专利类型：发明专利

专利号：CN201010145880.3

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：朱丽萍;曹铃;叶志镇

主权项：Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是采用脉冲激光沉积法，包括如下步骤：1)称量纯氧化锌、纯氟化锌和纯碳酸锂粉末，其中氟化锌的摩尔含量为0.3％，碳酸锂的摩尔含量为0.6～0.9％，经球磨混合后压制成型，然后在800～1060℃烧结3小时以上，制得靶材。2)将清洗后的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，靶材与衬底之间的距离为5cm，生长室背底真空度抽至10-4Pa，然后加热衬底，使衬底温度为300～500℃，以纯O2为生长气氛，控制O2压强5～20Pa，激光频率为3～5Hz，进行生长，生长后

专利地区：浙江