TMR电子罗盘专利登记公告

专利名称：TMR电子罗盘

摘要：本发明涉及利用隧道结磁阻效应原理TMR的电子罗盘。TMR电子罗盘包括TMR惠斯通电桥传感器，巨霍尔效应磁传感器，三轴加速度传感器芯片，传感器ASIC芯片和微型中央处理器。其中TMR惠斯通电桥传感器用于测量X方向和Y方向的磁场。Z方向的磁场即可以由TMR惠斯通电桥传感器来测量，也可以由巨霍尔效应磁传感器来测量，本发明中阐述了这两种设计方案。本发明中的TMR电子罗盘具有以下特性：动态范围宽，测量精度高，封装尺寸小，温度特性好，响应频率高，成本低和抗干扰性强。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010147479.3

专利申请（专利权）人：王建国;薛松生

专利发明（设计）人：王建国;薛松生

主权项：三轴TMR电子罗盘，其特征是：包括封装在一起相互之间位置固定的三个TMR惠斯通电桥传感器芯片、一个三轴的加速度传感器芯片、一个传感器专用ASIC芯片和一个微处理器芯片，所述传感器专用ASIC芯片分别与三个TMR惠斯通电桥传感器芯片、三轴的加速度传感器芯片、微处理器芯片相连。

专利地区：江苏