GaN基MOSFET及其制备方法专利登记公告

专利名称：GaN基MOSFET及其制备方法

摘要：本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之间的能带补偿，减小漏电流。所述GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。所述GaN基MOSFET的制备方法，包括如下步骤：在GaN衬底上沉积一层SiO2缓冲层，然后沉积(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层。本发明可有效降低体系的漏电流，并应用于制备信息

专利类型：发明专利

专利号：CN201010147721.7

专利申请（专利权）人：南京大学

专利发明（设计）人：刘治国;高立刚;汤振杰;夏奕东;殷江

主权项：一种GaN基MOSFET，在GaN衬底上设有(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层，其特征在于，GaN衬底和(La2O3)x(SiO2)1-x栅介质层之间设有厚度为0.5-2nm的SiO2缓冲层。

专利地区：江苏