半导体结构专利登记公告

专利名称：半导体结构

摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括衬底，形成在衬底上的过渡层或绝缘层，依次形成在过渡层或绝缘层上的第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层、第二应变宽禁带半导体层，以及形成在第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠，和形成在第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。该半导体结构不仅能抑制两种BTBT漏电的产生，另外还能在中间的应变窄禁带半导体层(例如应变Ge层或应变SiGe层)中产生空穴势阱，提高载流子的迁移率，改善器件性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010151192.8

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：王敬;许军;郭磊

主权项：一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的过渡层或绝缘层；形成在所述过渡层或绝缘层之上的第一应变宽禁带半导体层；形成在所述第一应变宽禁带半导体层之上的应变窄禁带半导体层；形成在所述应变窄禁带半导体层之上的第二应变宽禁带半导体层；形成在所述第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠；和形成在所述第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。

专利地区：北京