一种可改善回跳性能的LDMOS器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种可改善回跳性能的LDMOS器件及其制造方法

摘要：本发明提供一种可改善回跳性能的LDMOS器件及其制造方法。现有技术需通过维持高压阱较低的掺杂浓度来确保LDMOS器件具有较高的击穿电压，从而造成器件的回跳性能较差。本发明的可改善回跳性能的LDMOS器件包括硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、漏极、漏极漂移区、栅极及其侧墙，该LDMOS器件还包括设置在高压阱中且毗邻源极漂移区的减阻块，该减阻块与高压阱掺杂类型相同且其杂质浓度高于该高压阱。本发明通过减阻块的设置可在不改变高压阱杂质浓度的前提下，有效降低LDMOS器件内寄生BJT的基极电阻，从而有效提高LDMO

专利类型：发明专利

专利号：CN201010153752.3

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：王颢

主权项：一种可改善回跳性能的LDMOS器件，包括硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、漏极、漏极漂移区、栅极及其侧墙，该高压阱形成在该硅衬底中，该源极漂移区和漏极漂移区形成在该高压阱中且排布在栅极两侧，该源极和漏极分别形成在该源极漂移区和漏极漂移区中，其特征在于，该LDMOS器件还包括设置在高压阱中且毗邻源极漂移区的减阻块，该减阻块与高压阱掺杂类型相同且其杂质浓度高于该高压阱。

专利地区：上海