一种镓掺杂p型晶体硅的制备方法专利登记公告

专利名称：一种镓掺杂p型晶体硅的制备方法

摘要：本发明公开了一种Ga掺杂p型晶体硅的制备方法，该方法的特征是在多晶硅锭或单晶硅棒的晶体生长过程中，将一个平行于晶体生长方向的直流电场施加于熔融硅液，使液相中的Ga掺杂向固液界面方向迁移，在电场和凝固偏析的双重作用下，在晶体生长先端的液相中形成一个Ga的高浓度区域，提高了后续生长晶体的掺杂浓度，减弱了凝固偏析的影响，获得在晶体生长方向上Ga含量均匀分布的p型多晶锭或p型单晶棒，并减小了电阻率的偏差范围，提高了材料的成品率，从而降低硅片的生产成本，使得Ga掺杂p型硅片的产业应用在成本上具有可行性。同时该方法对

专利类型：发明专利

专利号：CN201010148415.5

专利申请（专利权）人：上海太阳能电池研究与发展中心

专利发明（设计）人：徐璟玉;胡建锋;熊斌;蒋君祥;戴宁;褚君浩

主权项：一种Ga掺杂p型晶体硅的制备方法，其特征在于：在晶体生长过程中，对熔融硅液施加一个平行于晶体生长方向的直流电场，在温度场和电场的协同控制下完成晶体生长，获得在晶体生长方向上Ga掺杂均匀分布的p型晶硅锭或p型单晶硅棒。

专利地区：上海