一种直流电场下定向凝固提纯多晶硅的方法专利登记公告

专利名称：一种直流电场下定向凝固提纯多晶硅的方法

摘要：本发明公开了一种在直流电场作用下定向凝固提纯多晶硅的方法，该方法是在多晶硅定向凝固晶体生长过程中，对熔融硅液施加一个与晶体生长方向平行的直流电场，使杂质在电场作用下迅速向电极方向迁移，即阳离子杂质向阴极方向迁移，阴离子杂质向阳极方向迁移，有效降低晶体生长先端液相中的杂质浓度，使后续生长的晶体杂质含量更低，获得比传统定向凝固纯度更高的多晶硅锭。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010148425.9

专利申请（专利权）人：上海太阳能电池研究与发展中心

专利发明（设计）人：蒋君祥;胡建锋;熊斌;徐璟玉;戴宁;褚君浩

主权项：一种在直流电场作用下定向凝固提纯多晶硅的方法，其特征在于具体步骤如下：1)在坩埚内底部设置下电极，将硅料平铺于坩埚内下电极之上，然后在硅料上方设置上电极，用导线将上下两电极与直流电源相连；电极布置时注意使电场方向与晶体的生长方向平行，上下电极的极性设置根据杂质相对于硅液的离子特性决定；2)将装好料的坩埚置于炉腔加热器中，炉内抽真空；调节温度控制系统，使硅料加热熔化成硅液，调整上电极的位置，使上电极与硅液的液面保持良好的欧姆接触；3)保持硅液的熔融状态，开始施加直流电场，电极间的电压为0.1～10V或电流密

专利地区：上海