一种多晶硅纳米薄膜应变电阻的制作方法专利登记公告

专利名称：一种多晶硅纳米薄膜应变电阻的制作方法

摘要：本发明公开一种多晶硅纳米薄膜应变电阻的制作方法，该方法主要由氧化工艺、多晶淀积工艺、钝化工艺、局部离子注入工艺和退火工艺组成。该发明目的旨在采用局部注入技术，制作出具有应变系数大、温度系数小、薄膜均匀、内应力小、不存在侧面腐蚀和工艺一致性好等特点的多晶硅纳米薄膜应变电阻。该方法所述薄膜可淀积在半导体硅、玻璃、陶瓷、金属等各种衬底上，易于加工、适合批量生产、成本低，有利于拓宽应用领域。对于制造高灵敏、低温漂、宽工作温度范围的低成本压阻式力敏传感器具有重要的应用价值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010148788.2

专利申请（专利权）人：沈阳工业大学

专利发明（设计）人：揣荣岩;王健;孙显龙;关艳霞;刘斌

主权项：一种多晶硅纳米薄膜应变电阻的制作方法，其特征在于：该方法由氧化工艺、多晶淀积工艺、钝化工艺、局部离子注入工艺和退火工艺组成，具体步骤以下：(1)氧化工艺：在衬底和多晶硅纳米薄膜间热氧化生长一层二氧化硅膜作为隔离层，厚度为0.5-1μm，工艺过程为传统氧化工艺；(2)多晶淀积工艺：多晶淀积工艺采用低压化学气相淀积或等离子增强化学气相淀积技术生成本征多晶硅纳米薄膜，SiH4流量为50ml/min，反应室气压控制在45～50Pa，温度为620℃，膜厚为80～100nm；(3)钝化工艺：钝化工艺为采用等离子增强化

专利地区：辽宁