高精度电阻的制造方法专利登记公告

专利名称：高精度电阻的制造方法

摘要：本发明提供高精度电阻的制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底包括多个第一金属插塞和所述第一金属插塞间的第一金属间电介质；在所述基底上形成第一金属层，并刻蚀所述第一金属层以形成多个第一金属导线，所述第一金属导线分别连接所述第一金属插塞；沉积第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上形成氮化钛(TiN)层，并对所述氮化钛层进行光刻刻蚀工艺，形成高精度电阻；沉积第二金属间电介质层，并对所述第二金属间电介质层进行化学机械研磨。所述制造方法能制造10ohm/sq到50ohm/sq的电阻，精度范围在+/-10％之内，并且和标

专利类型：发明专利

专利号：CN201010164850.7

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：陈乐乐

主权项：高精度电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：a)提供基底，所述基底包括多个第一金属插塞和所述第一金属插塞间的第一金属间电介质；b)在所述基底上形成第一金属层，并刻蚀所述第一金属层以形成多个第一金属导线，所述第一金属导线分别连接所述第一金属插塞；c)沉积第一氧化硅层；d)在所述第一氧化硅层上形成氮化钛层，并对所述氮化钛层进行光刻和刻蚀工艺，形成高精度电阻；e)沉积第二金属间电介质层，并对所述第二金属间电介质层进行化学机械研磨。

专利地区：上海