P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺专利登记公告

专利名称：P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺

摘要：本发明涉及一种P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺，属于半导体硅器件与集成电路制造技术领域，主要特点是在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离，采用P-阱深扩散技术、低硼注入与以氧化层掩蔽高能离子浅注入顶栅共同形成的浅沟道制作技术以及适当的工艺调控制成了所需求的兼容混合集成的p沟道JFET，本发明实现了既具有双极集成电路的速度高、驱动能力强的优点，同时又具有高增益、低功耗、

专利类型：发明专利

专利号：CN201010156890.7

专利申请（专利权）人：扬州晶新微电子有限公司

专利发明（设计）人：魏守国;雷必庆

主权项：一种P沟道JFET与双极混合集成电路，包括普通双极集成电路，其特征是，在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离。

专利地区：江苏