一种仿生微纳结构制备方法专利登记公告

专利名称：一种仿生微纳结构制备方法

摘要：本发明提供一种自顶向下与自底向上相结合的仿生微纳结构制备方法，具体通过以下步骤实现：首先采用自顶向下的方法制备出微尺度结构作为基底，主要包括镀膜生长、光刻、干法刻蚀等，然后在微尺度基底结构的顶部或者侧壁有选择地蒸发镀覆纳米结构生长的种子，再由种子自底向上生长出方向可控的纳米结构，最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构，如仿壁虎脚微纳结构或仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明提供的方法是结合了自顶向下与自底向上制备工艺的集成制造方法，具有高效率、低成本特点，适宜大批量、大面积生产，从而为仿生微纳

专利类型：发明专利

专利号：CN201010161272.1

专利申请（专利权）人：华中科技大学

专利发明（设计）人：廖广兰;王中林;彭争春;史铁林;高阳

主权项：一种自顶向下与自底向上相结合的仿生微纳结构制备方法，集成了自顶向下的微尺度结构制备与自底向上的纳米结构生长工艺，具体包括以下步骤：(1)在Si基底表面热生长一层SiO2薄膜；(2)在SiO2薄膜表面旋涂光刻胶，利用光刻技术将光刻掩膜板上的微尺度图形转移到光刻胶表面；(3)以所述光刻胶为掩膜，采用反应离子刻蚀方法，刻蚀暴露出的SiO2，将光刻胶上的图形转移到所述SiO2薄膜；(4)以所述SiO2薄膜为掩膜，采用感应耦合等离子干法深刻蚀硅，得到周期或准周期分布的微尺度结构，作为纳米结构生长的基底；(5)将生长

专利地区：湖北