具有增强散热性的半导体封装结构专利登记公告

专利名称：具有增强散热性的半导体封装结构

摘要：具有增强散热性的半导体封装结构。在一实施例中，一具有增强散热性的封装的半导体装置包括一引线框架和一半导体芯片，所述半导体芯片包括一主载流电极或发热电极。所述半导体芯片的所述主载流电极面对所述封装的顶面或远离下一级装配。所述封装的半导体装置进一步包括一不平的、阶跃形的或波动形的连接结构，所述连接结构将所述载流电极连接到所述引线框架上。高热导率的成型材料的使用和薄的封装外形进一步增强了散热性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010164154.6

专利申请（专利权）人：半导体元件工业有限责任公司

专利发明（设计）人：弗朗西斯·J·卡尔尼;迈克尔·J·瑟登

主权项：一种半导体封装结构，包括：一传导基板，所述传导基板包括一晶片托盘部分和垫部分；一连接于所述晶片托盘部分的电子芯片，其中所述电子芯片在相对于所述晶片托盘部分的一表面上包含有一主载流电极；一波动形连接结构，所述波动形连接结构将所述主载流电极连接到所述垫部分，其中所述波动形连接结构具有至少一个覆在所述电子芯片的表面上而没有在所述电子芯片的边缘上方延伸的阶梯；以及一包含热导率大于或等于3.0Watts/mK的成型材料的包封层，其中所述包封层覆盖了所述电子芯片和所述连接结构的至少一部分。

专利地区：美国