一种Cu₂Si_xSn_1-xS₃光伏薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种Cu₂Si_xSn_1-xS₃光伏薄膜的制备方法

摘要：本发明涉及一种Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的制备方法，以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以Cu-Si-Sn合金靶作为阴极靶，以磁控反应溅射的方式进行薄膜的沉积。其中，合金靶的组分为原子比Cu∶Si∶Sn＝1∶(0.1～2)∶(0.1～2)，溅射时溅射室内压强为0.05Pa～10Pa，靶材与衬底的距离为3～15cm，阴极靶的溅射功率为15～300W，衬底温度为20～700℃，并以0～1000转每分钟的速率旋转，生长的薄膜厚度为0.2～5μm。本发明所述的制备方法制备的薄膜大面积成分均匀性好、结晶质量

专利类型：发明专利

专利号：CN201010164446.X

专利申请（专利权）人：深圳丹邦投资集团有限公司

专利发明（设计）人：刘萍

主权项：一种Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的制备方法，其特征在于以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以Cu-Si-Sn合金靶作为阴极靶，以磁控反应溅射的方式进行薄膜的沉积。

专利地区：广东