磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法专利登记公告

专利名称：磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法

摘要：本发明提供了即使当靶材是磁性体并且厚和/或强磁性体被用作靶材时也能够产生足以在靶材面上形成放电所需的磁性隧道的泄漏磁场的磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法。本发明的磁控溅射阴极包括靶材，该靶材具有：第二环状槽，其被设置于靶材的溅射面；第三环状突起，其被设置于靶材的非溅射面；第四环状槽，其在非溅射面上被设置于第三环状突起的外侧；第四环状突起，其在非溅射面上被设置于第四环状槽的外侧。此外，磁控溅射阴极包括非溅射面侧的第一磁体和具有与第一磁体的极性不同的极性的第二磁体(6)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010119100.8

专利申请（专利权）人：佳能安内华股份有限公司

专利发明（设计）人：远藤彻哉;爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉

主权项：一种磁控溅射阴极，其包括：靶材，所述靶材具有：第一环状槽，其被设置于所述靶材的第一面；第一环状突起，其被设置于所述靶材的与所述第一面相反侧的第二面上的至少与所述第一环状槽相对的位置；第二环状槽，其被设置于所述第二面上的所述第一环状突起的外侧和内侧中的至少一侧；以及第二环状突起，其被设置于所述第二面上的所述第二环状槽的外侧和内侧中的至少一侧；第一磁体，其在所述靶材的所述第二面侧位于所述靶材的所述第一环状槽的内侧；第二磁体，其具有与所述第一磁体的极性不同的极性，并且所述第二磁体在所述靶材的所述第二面侧位于所述

专利地区：日本