一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法，硅薄膜通过激光脉冲沉积法制作，所用的靶材为硅材料。本方法制作工艺简单，沉积时工件不需加热，所用材料及工艺对环境没有污染，硅薄膜同时兼具耐腐蚀和抗静电两种功能，性能十分稳定。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010182394.9

专利申请（专利权）人：杭州电子科技大学

专利发明（设计）人：季振国;席俊华;毛启楠;柯伟青

主权项：一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)以硅材料作为靶材，硅靶放置在脉冲激光沉积设备的沉积室中，激光束经聚焦后透过窗口照射在硅靶表面。(2)清洗待镀膜工件表面，除去工件表面的沾污，然后烘干。(3)将工件放入激光脉冲沉积设备的沉积室中，与硅靶的距离为3-15厘米。抽真空至真空室内压强小于0.01Pa。(4)开启高能脉冲激光器，利用激光脉冲使硅靶表面局部瞬间蒸发，在待镀膜工件表面沉积一层硅薄膜。

专利地区：浙江