一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法专利登记公告

专利名称：一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法

摘要：一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法，步骤有：采用离子束辅助沉积技术制备AlN同质过渡层：在衬底上用2.0～2.5keV/20～50mA的Ar+离子束溅射沉积Al膜的同时，用20～35keV/2～8mA的中能N+离子束对Al膜进行辅助轰击；然后，采用磁控溅射沉积AlN薄膜：本底真空≤5×10-4Pa，工作气压0.5～10Pa，衬底温度为200℃～500℃。预沉积同质过渡层可有效减小薄膜与衬底间内应力，形成完全(002)取向的AlN薄膜，并降低薄膜的表面粗糙度，增加薄膜与衬底间的结合强度，使所得薄膜产品

专利类型：发明专利

专利号：CN201010183319.4

专利申请（专利权）人：湖南大学

专利发明（设计）人：周灵平;李智;朱家俊;彭坤

主权项：一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法，其特征是，它有以下步骤：(1)采用离子束辅助沉积技术制备AlN同质过渡层：在衬底上用(2.0～2.5)keV/(20～50)mA的Ar+离子束溅射沉积Al膜的同时，用(20～35)keV/(2～8)mA的中能N+离子束对Al膜进行辅助轰击，在衬底上预沉积一层AlN的同质过渡层；然后：(2)采用磁控溅射沉积AlN薄膜：本底真空≤5×10-4Pa，工作气压0.5Pa～10Pa，衬底温度为200℃～500℃，在所述同质过渡层上沉积AlN薄膜。

专利地区：湖南