集成电路及其形成方法专利登记公告

专利名称：集成电路及其形成方法

摘要：本发明一实施例提供一种集成电路及其形成方法，该集成电路包括：一核心区，具有至少一边缘区；多个晶体管，设置于该边缘区之中；以及多个虚置结构，邻接该至少一边缘区而设置，其中所述多个晶体管的每一沟道在一沟道宽度方向上面向所述多个虚置结构的至少其中之一。本发明的施加至晶体管的每一沟道的应变应力可依需求而控制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010254651.5

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：王建勋;张智胜;孟宪辉

主权项：一种集成电路，包括：一核心区，具有至少一边缘区；多个晶体管，设置于该边缘区之中；以及多个虚置结构，邻接该至少一边缘区而设置，其中所述多个晶体管的每一沟道在一沟道宽度方向上面向所述多个虚置结构的至少其中之一。

专利地区：台湾