金属氧化物半导体组件及其制作方法专利登记公告

专利名称：金属氧化物半导体组件及其制作方法

摘要：本发明揭露一种金属氧化物半导体组件及其制作方法，该金属氧化物半导体(MOS)组件包含具有第一与第二接触的有源区。第一与第二栅极位于第一与第二接触之间。第一栅极邻设于第一接触，且具有第三接触。第二栅极邻设于第二接触，且具有与第三接触耦合的第四接触。为有源区与第一栅极所定义出的晶体管具有第一临界电压，而为有源区与第二栅极所定义出的晶体管具有第二临界电压。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010293536.9

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：薛福隆;赵治平;周淳朴;彭永州;庄学理;宋国栋

主权项：一种金属氧化物半导体组件，其特征在于，包含：一有源区，包含一第一接触与一第二接触，其中该第一接触为该金属氧化物半导体组件的一源极接触，该第二接触为该金属氧化物半导体组件的一漏极接触；以及一第一栅极与一第二栅极，介于该第一接触与该第二接触之间，该第一栅极邻设于该第一接触且具有一第三接触，该第二栅极邻设于该第二接触且具有与该第三接触耦合的一第四接触，其中，为该有源区与该第一栅极所定义出的一晶体管具有一第一临界电压，为该有源区与该第二栅极所定义出的一晶体管具有一第二临界电压。

专利地区：台湾