去边宽度检测方法专利登记公告

专利名称：去边宽度检测方法

摘要：本发明公开了一种去边宽度检测方法，该方法包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。本发明还提供了另一种去边宽度检测方法。通过本发明

专利类型：发明专利

专利号：CN201010581455.9

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：邹永祥;黄玮;张辰明;胡骏;刘志成

主权项：一种去边宽度检测方法，其特征在于，包括：在晶片边缘的划片槽内进行一段预设距离的曝光，曝光的图案为多个相同的、径向等间距的对位标记，每个对位标记均包括周期性重复图形；记录一个对位标记的长度、相邻对位标记之间的间距、对位标记中一个重复图形的长度及相邻重复图形之间的间距；对晶片进行显影，显露出所述多个对位标记中的部分对位标记；计算自曝光起始位置沿径向到晶片去边边缘的距离，该距离称为显露出的对位标记的长度；所述预设距离和显露出的对位标记的长度之差即为去边宽度。

专利地区：江苏