一种厚膜光刻胶清洗液专利登记公告

专利名称：一种厚膜光刻胶清洗液

摘要：本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾(b)溶剂(c)醇胺(d)有机酚(e)苯并三氮唑及其衍生物(f)聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010585371.2

专利申请（专利权）人：安集微电子(上海)有限公司

专利发明（设计）人：刘兵;彭洪修;孙广胜

主权项：一种厚膜光刻胶清洗液，含有：氢氧化钾、溶剂、醇胺、有机酚、苯并三氮唑及其衍生物和聚羧酸类缓蚀剂。

专利地区：上海