一种厚膜光刻胶清洗液专利登记公告

专利名称：一种厚膜光刻胶清洗液

摘要：本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有：氢氧化钾、常用溶剂、季戊四醇、醇胺、间苯二酚、含颜料亲和基团的聚合物。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜(Cu)和铝(Al)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010604011.2

专利申请（专利权）人：安集微电子(上海)有限公司

专利发明（设计）人：刘兵;彭洪修;孙广胜;王胜利

主权项：一种用于厚膜光刻胶的清洗液，包含：氢氧化钾、溶剂、季戊四醇、醇胺、间苯二酚、含颜料亲和基团的聚合物。

专利地区：上海