一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀专利登记公告

专利名称：一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀

摘要：本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善晶体表面和平整度的方法。该方法通过碳化硅单晶的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、应力和损伤层，从而碳化硅晶片的平整度能够调整到TTV＜0.5微米(μm)、Bow＜0.1μm?Warp＜0.1μm，最终获得高质量的单晶碳化硅晶片。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010588030.0

专利申请（专利权）人：北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所

专利发明（设计）人：陈小龙;黄青松;王波;王锡铭;李龙远;郑红军;郭钰

主权项：一种碳化硅单晶晶片表面及平整度的调整方法，该方法通过湿法刻蚀技术得到的碳化硅单晶晶片表面最大限度消除了表面缺陷和损伤层，同时可以迅速调整晶片的面型(TTV、Warp及Bow等)其特征在于该方法包括如下步骤：(1)先将精磨或抛光后的碳化硅单晶晶片进行清洗，去除表面的有机物、金属离子、重金属离子和氧化物；(2)将清洗后的碳化硅单晶晶片放入预热箱中进行预热处理，预热温度可以控制在刻蚀温度上下300℃范围内，与晶片尺寸有关，晶片尺寸较小时可以取偏差较大的温度，晶片尺寸较大时，应该去偏差较小的温度；(3)将预热后的

专利地区：北京