光器件晶片的加工方法专利登记公告
专利名称:光器件晶片的加工方法
摘要:本发明的光器件晶片的加工方法将光器件晶片中的光器件层转移到移设基板,光器件层隔着缓冲层层叠在外延基板的表面,并在由呈格子状形成的多个切割道划分出的多个区域内形成有光器件,包括:移设基板接合步骤,使移设基板与光器件层的表面接合;移设基板切断步骤,将与光器件层的表面接合的移设基板与光器件层一起沿着切割道切断;剥离用激光束照射步骤,将被实施了移设基板切断步骤后的移设基板贴附在保持部件上,通过从层叠有与移设基板接合的光器件层的外延基板的背面侧将聚光点定位于缓冲层而照射透过外延基板的激光束,分解缓冲层;以及外延基板
专利类型:发明专利
专利号:CN201110424137.6
专利申请(专利权)人:株式会社迪思科
专利发明(设计)人:关家一马
主权项:一种光器件晶片的加工方法,将光器件晶片中的光器件层转移到移设基板上,该光器件层隔着缓冲层层叠在外延基板的表面上,并在由呈格子状形成的多个切割道划分出的多个区域内形成有光器件,该光器件晶片的加工方法的特征在于包括:移设基板接合步骤,使移设基板与在该外延基板的表面上隔着该缓冲层层叠的该光器件层的表面接合;移设基板切断步骤,将与该光器件层的表面接合的该移设基板与该光器件层一起沿着该切割道进行切断;剥离用激光束照射步骤,将被实施了该移设基板切断步骤后的该移设基板贴附在保持部件上,从层叠有接合了该移设基板的该光器件
专利地区:日本
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