感应耦合等离子体装置专利登记公告

专利名称：感应耦合等离子体装置

摘要：本发明公开一种感应耦合等离子体装置，主要是为了解决地磁场对ICP等离子体的影响以及如何灵活调节等离子体分布的问题而设计。本发明所述感应耦合等离子体装置至少包括：感应耦合发生装置和等离子体工作室，所述感应耦合发生装置设置在所述等离子体工作室的顶端开口处，在所述感应耦合等离子体装置上设置有一补偿调节装置，所述的补偿调节装置设置在所述感应耦合发生装置的外部或内部，且该补偿调节装置用于补偿地磁场影响且调节等离子体密度分布。本发明能够有效的补偿地磁场对等离子体密度分布的影响，并能够通过调节磁体的磁性强弱和磁场方向来

专利类型：发明专利

专利号：CN201010590661.6

专利申请（专利权）人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

专利发明（设计）人：彭东阳

主权项：一种感应耦合等离子体装置，至少包括：感应耦合发生装置和等离子体工作室，所述感应耦合发生装置设置在所述等离子体工作室的顶端开口处，其特征在于，在所述感应耦合等离子体装置上设置有一补偿调节装置，所述的补偿调节装置设置在所述感应耦合发生装置的外部或内部，且该补偿调节装置用于补偿地磁场影响且调节等离子体密度分布。

专利地区：北京