双镶嵌结构的形成方法专利登记公告

专利名称：双镶嵌结构的形成方法

摘要：一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层和第二介质层；在所述第二介质层中形成沟槽，在所述沟槽底部的第一介质层中形成通孔；在所述沟槽和通孔中填充金属铜；在所述金属铜的表面形成钴钨磷；去除所述第二介质层；在所述第一介质层上、所述金属铜的侧壁形成第三介质层。本发明有利于避免金属离子扩散进入介质层，提高可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010592893.5

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：周俊卿;张海洋

主权项：一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层和第二介质层；在所述第二介质层中形成沟槽，在所述沟槽底部的第一介质层中形成通孔；在所述沟槽和通孔中填充金属铜；在所述金属铜的表面形成钴钨磷；去除所述第二介质层；在所述第一介质层上、所述金属铜的侧壁形成第三介质层。

专利地区：北京