改善应力的浅槽隔离制造方法以及半导体器件制造方法专利登记公告

专利名称：改善应力的浅槽隔离制造方法以及半导体器件制造方法

摘要：本发明提供了一种改善应力的浅槽隔离制造方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的改善应力的浅槽隔离制造方法包括：第一生长步骤，用于在硅片上依次生长垫衬氧化层以及氮化硅硬掩膜层；第二生长步骤，用于在所述氮化硅硬掩膜层上形成光刻胶；有源区光刻步骤，用于形成光刻胶的图案，所述图案与所要形成的浅沟槽相对应；氮化硅硬掩膜层蚀刻步骤，用于对所述氮化硅硬掩膜层进行刻蚀，所述刻蚀停在垫衬氧化层上；光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；原位水汽生成氧化步骤，用于在去除了所述光刻胶的结构上形成氧化层；以及浅沟槽蚀刻步骤，用于利用

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061971.8

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：张雄

主权项：一种改善应力的浅槽隔离制造方法，其特征在于包括：第一生长步骤，用于在硅片上依次生长垫衬氧化层以及氮化硅硬掩膜层；第二生长步骤，用于在所述氮化硅硬掩膜层上形成光刻胶；有源区光刻步骤，用于形成光刻胶的图案，所述图案与所要形成的浅沟槽相对应；氮化硅硬掩膜层蚀刻步骤，用于对所述氮化硅硬掩膜层进行刻蚀，所述刻蚀停在垫衬氧化层上；光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；原位水汽生成氧化步骤，用于在去除了所述光刻胶的结构上形成氧化层；以及浅沟槽蚀刻步骤，用于利用所述氧化层和所述氮化硅硬掩膜层完成浅沟槽的蚀刻，直到实现所期望

专利地区：上海