半导体结构间隔离结构及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体结构间隔离结构及其形成方法

摘要：一种半导体结构间隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有至少两个半导体结构，相邻半导体结构之间具有间隙；形成覆盖所述间隙底部及侧壁的刻蚀停止层；形成覆盖所述刻蚀停止层的第一隔离介质层；刻蚀所述第一隔离介质层，直至暴露位于所述间隙侧壁的刻蚀停止层，部分保留位于所述间隙底部的第一隔离介质层；在所述第一隔离介质层表面形成填充满所述间隙的第二隔离介质层。本发明还提供利用上述方法所形成的隔离结构。采用本发明所提供的方法所形成的隔离结构中不含有空隙，从而提高隔离效果，进而提高器件的性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593201.9

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：符云飞;郭世璧;任万春;鲍宇

主权项：一种半导体结构间隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有至少两个半导体结构，相邻半导体结构之间具有间隙；形成覆盖所述间隙侧壁的刻蚀停止层；在所述间隙底部形成第一隔离介质层；在所述第一隔离介质层表面形成填充满所述间隙的第二隔离介质层。

专利地区：北京