高压半导体器件制造方法专利登记公告

专利名称：高压半导体器件制造方法

摘要：本实施例公开了一种高压半导体器件制造方法，包括：提供基底；在横向上去除掉STI浅沟槽角上的部分刻蚀阻挡层材料；去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑；形成衬垫氧化层；形成STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区；在包括STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区的基底表面上形成栅介质层。本发明实施例通过去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑，减小了STI浅沟槽角上的应力，从而使后续形成的衬垫氧化层在STI浅沟槽角上的分布变的更加均匀，进而改善

专利类型：发明专利

专利号：CN201010598548.2

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：李伟

主权项：一种高压半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括本体层、隔离氧化层、刻蚀阻挡层以及STI浅沟槽；在横向上去除掉STI浅沟槽角上的部分刻蚀阻挡层材料，以露出部分本体层材料；去除掉STI浅沟槽角上的本体层材料，以使STI浅沟槽的尖角变圆滑；在STI浅沟槽侧壁、底部以及露出的本体层材料区域形成衬垫氧化层；形成STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区；在包括STI浅槽隔离区以及该高压半导体器件阱区和漂移区的基底表面上形成栅介质层。

专利地区：江苏