半导体器件制作方法专利登记公告

专利名称：半导体器件制作方法

摘要：本实施例公开了一种半导体器件制作方法，包括：提供基底，所述基底包括STI浅沟槽；在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，以改善注入离子处的基底材料的晶格结构；在所述基底表面上形成STI浅槽隔离区。本发明实施例通过在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，通过离子对晶格的撞击，破坏了注入离子处的基底材料的晶格结构，由于基底材料晶格结构的变化，即应力的受体发生变化，从而减小了基底材料与STI浅槽隔离区之间产生的应力，即改善了STI应力效应，提高了半导体器件的性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010599115.9

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：杜建

主权项：一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括STI浅沟槽；在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，以改善注入离子处的基底材料的晶格结构；在所述基底表面上形成STI浅槽隔离区。

专利地区：江苏