半导体器件制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件制造方法

摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件制造方法，该方法包括：在基底内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成介质层并对所述介质层进行化学机械研磨；通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理。本发明所提供的半导体器件制造方法，在对浅沟槽内的介质层进行化学机械研磨之后，通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理，从而可将浅沟槽角部的外延层氧化，使得所述浅沟槽角部圆滑化。通过控制高温热氧化工艺中的工艺参数可控制浅沟槽角部圆滑化的程度，进而可避免因较尖的浅沟槽角部而对器件击穿电压和阈值电压造成影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010601565.7

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

专利发明（设计）人：刘俊文

主权项：一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在基底内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成介质层并对所述介质层进行化学机械研磨；通过高温热氧化工艺对所述基底的浅沟槽角部进行圆滑化处理。

专利地区：江苏