浅沟槽隔离结构的形成方法专利登记公告

专利名称：浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化物层和氮化物层，并对所述氮化物层、垫氧化物层和半导体衬底刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内壁形成内衬氧化物层，并在所述沟槽中填充氧化物；去除所述氮化物层；形成隔离侧壁层，所述形成的隔离侧壁层位于所述垫氧化物层之上、且环绕所述沟槽；将未被所述隔离侧壁层覆盖的垫氧化物层去除。采用本发明公开的方法能够提高浅沟槽隔离结构的绝缘性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010602022.7

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：王新鹏;王军;宋铭峰

主权项：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化物层和氮化物层，并对所述氮化物层、垫氧化物层和半导体衬底刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内壁形成内衬氧化物层，并在所述沟槽中填充氧化物；去除所述氮化物层；形成隔离侧壁层，所述形成的隔离侧壁层位于所述垫氧化物层之上、且环绕所述沟槽；将未被所述隔离侧壁层覆盖的垫氧化物层去除。

专利地区：上海