一种闪存单元形成方法专利登记公告

专利名称：一种闪存单元形成方法

摘要：一种闪存单元形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层，所述衬底内包含至少两个有源区，相邻有源区之间以浅沟槽隔离结构隔开；依次去除所述衬底表面的刻蚀停止层和衬垫氧化层；采用化学气相沉积法在衬底表面形成隧穿氧化层；对所述隧穿氧化层进行后期氧化退火处理。本发明所提供的闪存单元形成方法避免了双峰效应和反窄沟道效应，并且闪存单元的周期耐久性比较好。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593211.2

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

专利发明（设计）人：沈亿华;宋化龙;李亮;史运泽;涂火金

主权项：一种闪存单元形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；采用化学气相沉积法在衬底表面形成隧穿氧化层；对所述隧穿氧化层进行后期氧化退火处理。

专利地区：北京