具有自对准金属硅化工艺的双栅LDMOS的制备方法专利登记公告

专利名称：具有自对准金属硅化工艺的双栅LDMOS的制备方法

摘要：本发明公开了一种具有自对准金属硅化工艺的双栅LDMOS的制备方法，包括如下步骤：1)控制栅和屏蔽栅的形成，所述屏蔽栅位于体区和漏区之间的漂移区上，且所述控制栅和所述屏蔽栅有部分叠加放置，所述控制栅和所述屏蔽栅之间通过绝缘层隔离；2)而在体区和源区形成之后，淀积介质层，而后刻蚀所述介质层在所述控制栅和屏蔽栅两边形成侧墙；3)之后进行自对准金属硅化物形成工艺，在所述屏蔽栅，控制栅和源区表面形成金属硅化物。采用本发明的方法所制备的LDMOS器件，其开关速度得到大大的提高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010595285.X

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：金勤海;王佰胜;袁秉荣

主权项：一种具有自对准金属硅化工艺的双栅LDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)控制栅和屏蔽栅的形成，所述屏蔽栅位于体区和漏区之间的漂移区上，且所述控制栅和所述屏蔽栅有部分叠加放置，所述控制栅和所述屏蔽栅之间通过绝缘层隔离；2)而在体区和源区形成之后，淀积介质层，而后刻蚀所述介质层在所述控制栅和屏蔽栅两边形成侧墙；3)之后进行自对准金属硅化物形成工艺，在所述屏蔽栅，控制栅和源区表面形成金属硅化物。

专利地区：上海