用于制造NMOS半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：用于制造NMOS半导体器件的方法

摘要：本发明公开了一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括衬底和位于所述衬底上的栅极；对所述半导体前端器件的衬底进行N型离子注入，用以形成NMOS器件的源漏区；对所述NMOS器件的源漏区进行硅或碳的离子注入，其中所述硅或碳的离子注入是以相对于垂直于衬底表面的方向的倾斜角度进行的；对所述半导体前端器件进行应力记忆技术处理；以及对所述半导体前端器件进行退火，用以在所述NMOS器件的源漏区表面形成自对准硅化物。根据本发明的制造NMOS半导体器件的方法，能够有效地在形成自对准

专利类型：发明专利

专利号：CN201010600601.8

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：吴兵;宋化龙

主权项：一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括衬底和位于所述衬底上的栅极；?对所述半导体前端器件的衬底进行N型离子注入，用以形成NMOS器件的源漏区；对所述NMOS器件的源漏区进行硅或碳的离子注入，其中所述硅或碳的离子注入是以相对于垂直于衬底表面的方向的倾斜角度进行的；对所述半导体前端器件进行应力记忆技术处理；以及对所述半导体前端器件进行退火，用以在所述NMOS器件的源漏区表面形成自对准硅化物。

专利地区：上海