用于制作应变半导体器件结构的方法专利登记公告

专利名称：用于制作应变半导体器件结构的方法

摘要：本发明提供一种用于制作应变半导体器件结构的方法，包括：提供前端器件结构，包括半导体衬底和位于半导体衬底上的栅极结构；在半导体衬底上形成位于栅极结构两侧且紧靠栅极结构的部分可灰化间隙壁结构，部分可灰化间隙壁结构由内到外依次包括第一间隙壁层和第二间隙壁层；在半导体衬底的表面、部分可灰化间隙壁结构的表面以及栅极结构的表面上，形成保护氧化层；进行离子注入，以在半导体衬底中形成源/漏区；去除保护氧化层和第二间隙壁层，直至露出第一间隙壁层的表面为止；以及在半导体衬底的表面、第一间隙壁层的表面以及栅极结构的表面上形成应

专利类型：发明专利

专利号：CN201010600604.1

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：张海洋;胡敏达

主权项：一种用于制作应变半导体器件结构的方法，所述方法包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的栅极结构；在所述半导体衬底上形成位于所述栅极结构两侧且紧靠所述栅极结构的间隙壁结构，其中，所述间隙壁结构由内到外依次包括第一间隙壁层和第二间隙壁层；在所述半导体衬底的表面、所述间隙壁结构的表面以及所述栅极结构的表面上，形成保护氧化层；进行离子注入，以在所述半导体衬底中形成源/漏区；去除所述保护氧化层和所述第二间隙壁层，直至露出所述第一间隙壁层的表面为止；以及在所述半导体衬底的表面、所

专利地区：上海