氮化镓晶体管的制作方法专利登记公告

专利名称：氮化镓晶体管的制作方法

摘要：本发明是有关于一种氮化镓晶体管的制作方法，包含一准备步骤、一开口形成步骤、一离子布值步骤、一介电层形成步骤、一源/漏极沉积步骤，及一栅极沉积步骤，首先准备一含N型氮化镓半导体材料的半导体多晶层，于该半导体多晶层上形成一定义出一开口的遮覆层，接着对该半导体多晶层进行P型离子布值，于该半导体多晶层形成一掺杂区，再于该半导体多晶层表面沉积一层由高介电常数材料构成的介电层，之后于该半导体多晶层表面对应该掺杂区两侧形成一源极及一漏极，再于对应该掺杂区上方的介电层表面形成一栅极，即可完成该氮化镓晶体管的制作。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010593719.2

专利申请（专利权）人：财团法人交大思源基金会

专利发明（设计）人：张翼;张嘉华;林岳钦

主权项：一种氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于：包含一准备步骤，准备一发光元件，该发光元件具有一基板，及一形成在该基板上的半导体多晶层，且该半导体多晶层含有N型氮化镓半导体材料；一开口形成步骤，先于该半导体多晶层表面形成一由绝缘材料构成的第一遮覆层，及一形成于该第一遮覆层表面的第二遮覆层，且该第二遮覆层定义出一使该第一遮覆层部分表面裸露的开口；一离子布值步骤，以离子布值方式自该开口向下对该半导体多晶层进行P型离子布值，于该半导体多晶层形成一掺杂区，之后将该第一、二遮覆层移除，使该半导体多晶层露出；一介电层形成步骤

专利地区：台湾