一种MIS电容的制作方法专利登记公告

专利名称：一种MIS电容的制作方法

摘要：本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O2，NH3等离子体在Si表面生长一层很薄的氮氧化合物钝化层，以抑制界面层的生长。接着使用等离子体生长方式生长HfLaO介质薄膜，并原位对所述HfLaO介质薄膜进行氧等离子体后处理，减少薄膜中的氧空位。采用氯苯溶液对光刻胶进行处理，可以修饰掉光刻胶边缘的毛刺使得后面的金属举离工艺更简单而精确。采用本方法制备的MIS电容有利于减少附加界面层的数量、减薄

专利类型：发明专利

专利号：CN201210075130.2

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：程新红;曹铎;贾婷婷;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉

主权项：一种MIS电容的制作方法，其特征在于，至少包括步骤：1)提供一SOI衬底，在所述SOI衬底的顶层硅上刻蚀出多个相互独立的硅岛；2)去除各该硅岛表面的氧化层，然后在各该硅岛表面形成氮氧化合物钝化层；3)采用等离子体增强型原子层沉积法在所述氮氧化合物钝化层表面形成HfLaO介质薄膜，并对所述HfLaO介质薄膜进行氧等离子体处理；4)在所述HfLaO介质薄膜刻蚀出HfLaO介质薄膜岛；5)于所述HfLaO介质薄膜岛及所述硅岛表面形成光刻胶，并采用氯苯溶液对所述光刻胶进行浸泡，然后对所述光刻胶进行显影以形成在欲制

专利地区：上海