静电保护结构专利登记公告

专利名称：静电保护结构

摘要：本发明公开了一种静电保护结构，包括第一NPN异质结晶体管、第二NPN异质结晶体管；第二NPN异质结晶体管的基极、集电极接第一NPN异质结晶体管的集电极，第二NPN异质结晶体管的发射极作为静电进入端，第一NPN异质结晶体管的基极、发射极短接作为静电放出端。本发明的静电保护结构，利用第二NPN异质结晶体管实现高增益放大倍数，利用第一NPN异质结晶体管实现高反向耐压能力，可以在不明显增加寄生电容的情况下，保证较高的静电泻放能力，增强击穿电压。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010594706.7

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：苏庆;王邦麟

主权项：一种静电保护结构，其特征在于，包括第一NPN异质结晶体管、第二NPN异质结晶体管；第二NPN异质结晶体管的基极、集电极接第一NPN异质结晶体管的集电极，第二NPN异质结晶体管的发射极作为静电进入端，第一NPN异质结晶体管的基极、发射极短接作为静电放出端。

专利地区：上海