消除天线效应的结构及消除天线效应的方法专利登记公告

专利名称：消除天线效应的结构及消除天线效应的方法

摘要：本发明公开了一种消除天线效应的结构，包括保险丝、第一反偏二极管、第二反偏二极管及脉冲电源，所述保险丝的一端与MOS晶体管的栅极相连，另一端与所述第一反偏二极管的负极及第二反偏二极管的正极相连，所述第一反偏二极管的正极及第二反偏二极管的负极接地，当MOS晶体管制备完成后，所述脉冲电源加在保险丝的两端，所述保险丝熔断；从而可消除MOS晶体管在制备过程中积累的游离电荷，且不会影响MOS晶体管的工作；同时，本发明还公开了一种消除天线效应的方法，该方法采用上述结构泄放MOS晶体管在制备过程中积累的游离电荷，且当MO

专利类型：发明专利

专利号：CN201010610212.3

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：张莉菲

主权项：一种消除天线效应的结构，用于消除半导体集成电路中的MOS晶体管在制备过程中积累的游离电荷，其中，所述半导体集成电路制备在半导体衬底上，所述半导体集成电路包括多层金属互连线，所述MOS晶体管的栅极与所述多层金属互连线相连，其特征在于，包括：保险丝，包括第一端及第二端，所述第一端与所述栅极相连；第一反偏二极管，包括正极及负极，其负极与所述保险丝的第二端相连，其正极接地；第二反偏二极管，包括正极及负极，其正极与所述保险丝的第二端相连，其负极接地；以及脉冲电源，当所述MOS晶体管制备完成后，所述脉冲电源加在所述保

专利地区：上海