相变存储器及其形成方法专利登记公告

专利名称：相变存储器及其形成方法

摘要：一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沟槽；在所述沟槽中外延生长形成第一外延层，所述第一外延层为N型掺杂或P型掺杂的半导体材料。本发明有利于改善PN结的膜层质量，提高作为字线的第一外延层的掺杂浓度的均匀性，而且有利于避免字线电阻升高的问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010594846.4

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：三重野文健;涂火金;何有丰

主权项：一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沟槽；在所述沟槽中外延生长形成第一外延层，所述第一外延层为N型掺杂或P型掺杂的半导体材料。

专利地区：上海