用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法专利登记公告
专利名称：用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法
摘要：本发明公开了一种用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法，该材料是一种含有锑、碲、氮、硅四种元素的混合物，具有可逆相变能力的Sb2Tey（1 专利类型：发明专利 专利号：CN201010590406.1 专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 专利发明（设计）人：宋志棠;许建安;饶峰;吴良才;刘波 主权项：一种用于相变存储器的Sb2Tey?Si3N4复合相变材料，其特征在于：是一种由Sb2Tey和Si3N4复合而成的混合物，其化学式为(Sb2Tey)x(Si3N4)100?x，其中1＜y＜3，60＜x＜100。 专利地区：上海
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