一种优化嵌入式STT-RAM性能与硬件耗费的异构设计方法专利登记公告

专利名称：一种优化嵌入式STT-RAM性能与硬件耗费的异构设计方法

摘要：一种优化嵌入式自旋力矩转移随机存储器性能与硬件耗费的异构设计方法，通过改变自旋力矩转移随机存储器上存储单元磁通道结自由层的面积、nMOS晶体管的大小和存储器阵列的大小来改变自旋力矩转移随机存储器的存储特性，并将具有不同特性的存储模块集成于同一颗芯片内。本发明在不改变STT-RAM工艺流程的条件下，采用不同的结构和电路来设计存储特性完全不同的STT-RAM模块，以分别满足运算处理单元多样的存储需求。从而实现仅采用STT-RAM技术就能满足系统级芯片的需求，减少存储芯片的使用，增加系统级芯片片上集成的存储器容

专利类型：发明专利

专利号：CN201110448782.1

专利申请（专利权）人：西安交通大学

专利发明（设计）人：孙宏滨;闽泰;张彤;郑南宁

主权项：一种嵌入式STT?RAM存储器的异构设计方法，其特征在于：在不改变STT?RAM工艺流程的条件下，采用不同的结构和/或电路来设计存储特性不同的STT?RAM存储器；根据运算处理模块的存储需求将上述存储特性不同的STT?RAM存储器集成在同一颗芯片中。

专利地区：陕西