存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法

摘要：本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110404641.X

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：金洸奭;郑佑仁;申在光;金起园;李成喆;皮雄焕

主权项：一种磁存储器件的存储节点，该存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在所述下磁性层上；以及自由磁性层，形成在所述隧道阻挡层上，并且其中磁化方向通过自旋电流转换，其中所述自由磁性层具有盖子结构，该盖子结构围绕形成在所述自由磁性层下面的材料层中的至少一个。

专利地区：韩国