改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法专利登记公告

专利名称：改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法

摘要：本发明公开了一种改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法，包含如下步骤：1)利用常规工艺在衬底上形成埋层、浅槽隔离、集电区和基极；2)在基极形成后，淀积多晶硅发射极-基极隔离介质层；3)采用干法和湿法刻蚀发射极-基极隔离介质层，形成发射极-基极接触窗口；4)淀积非掺杂的多晶硅，作为双极型晶体管的发射极；5)定义发射极多晶硅离子注入的光刻层，进行发射极多晶硅N型杂质多次梯度注入；6)采用高温快速退火使多晶硅的杂质纵向扩散，使其在多晶硅中分布更均匀，发射极-基极接触窗口的多晶硅与单晶硅的交界面的杂质浓度更

专利类型：发明专利

专利号：CN201010596316.3

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：陈帆;陈雄斌

主权项：一种改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法，其特征在于，包含如下步骤：1)利用常规工艺在衬底上形成埋层、浅槽隔离、集电区和基极；2)在基极形成后，淀积多晶硅发射极?基极隔离介质层；3)采用干法和湿法刻蚀发射极?基极隔离介质层，形成发射极?基极接触窗口：4)淀积非掺杂的多晶硅，作为双极型晶体管的发射极；5)定义发射极多晶硅离子注入的光刻层，进行发射极多晶硅N型杂质多次梯度注入；6)采用高温快速退火使多晶硅的杂质纵向扩散，使其在多晶硅中分布更均匀，发射极?基极接触窗口的多晶硅与单晶硅的交界面的杂质浓度更

专利地区：上海